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蓝矽科技推出了业界领先的新一代BeSTMOS --- 基于超级结技术的高压MOSFETs器件

Release time:2019-10-10 18:27:52 Source: Author: Read second

2019年10月11日,蓝矽科技(BeST)推出业界领先的高压MOSFETs - BeSTMOS 器件, 它是基于超结技术,电压范围在600V-700V之间。在芯片设计、晶圆工艺和封装方面有重大改进,为电力电子系统的发展带来了诸多优势,该类高压MOSFETs共有16种不同的产品型号,具有电压、内阻和封装选项的不同组合。

与传统的VD MOS器件相比,其栅电容非常小,大大降低了开关损耗。在中小功率应用中,它能提供更高的效率、更好的电磁干扰特性(EMI)和更强的抗冲击能力(EAS),大大提高了系统的可靠性。在功率启动、动态负载、过载、短路等大功率应用中,具有快速恢复二极管、低Qg和Coss等特性,可以提供极快的开关速度、最小的开关损耗、更好的反向恢复能力,大大提高系统性能,给用户带来更高的效率和更低的功耗。


BeSTMOS器件设计用于各种应用,如充电器、适配器、电源、电动汽车充电和工业控制系统以及led照明。客户越来越多地用超级结MOSFETs取代标准MOSFETs,以从最终用户的更高效率和更低功耗中获益。


有关更多产品信息和数据手册据,请访问

http://www.blue-silicon.com

地址:中国成都市高新区天府软件园E6-1 9楼12-18室


产品选型目录

VDS
[V]

Part Number

ID
@25

[A]

RDS(on) (typ)
@VGS=10V
[Ω]

Vth (typ)
[V]

PD
@T
C=25°C
[W]

Package

600

BSJ600N60DN

8

0.53

3

95

TO-252

BSJ380N60DN

11

0.35

3

85

TO-252

BSJ380N60FN

11

0.35

3

25

TO-220F

BSJ280N60DN

15

0.22

3

206

TO-252

BSJ280N60FN

15

0.22

3

29

TO-220F

BSJ160N60FN

20

0.12

3

33

TO-220F

650

BSJ650N65DN

8

0.55

3

95

TO-252

BSJ420N65FN

11

0.37

3

25

TO-220F

BSJ280N65FN

15

0.24

3

29

TO-220F

BSJ190N65FN

20

0.13

3

33

TO-220F

BSJ099N65GN

40

0.085

3.5

338

TO-247

700

BSJ700N70FN

8

0.63

3

25

TO-220F

BSJ700N70DN

8

0.63

3

95

TO-252

BSJ320N70DN

15

0.28

3

206

TO-252

BSJ180N70FN

20

0.15

3

33

TO-220F

BSJ180N70GN

20

0.15

3

209

TO-247